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SiLM27511H

单（dān）通道（dào） 20V, 4A/5A 高欠压保护低（dī）边门极驱动器

样片申请

SiLM27511H Datasheet SiLM27511H-AQ Datasheet SiLM27511HCJ-AQ Datasheet

产（chǎn）品概述

产品特性

安（ān）规认证

典型应用图（tú）

产品概（gài）述

SiLM27511H系列是单通道（dào）高（gāo）欠压保护低边门极驱动器（qì），可有效驱动MOSFET和（hé）IGBT等功率（lǜ）开关。SiLM27511H 采（cǎi）用一（yī）种能够从内部极（jí）大的（de）降低直通电流（liú）的设计，将高峰值的源电流（liú）和灌电流脉冲提（tí）供给电（diàn）容负载，以实现轨到轨的驱动能力（lì）和典型（xíng）值仅（jǐn）为 18ns 的极小传播延迟。

SiLM27511H 在 15V 的 VDD 供电情况下，能够提（tí）供 4A 的峰值源电流和 5A 的峰值灌电流。SiLM27511H 欠（qiàn）压锁定保护 (UVLO)12.5/11.5V。

产品（pǐn）特性

低（dī）成本的门极（jí）驱动方案可用于（yú）替（tì）代 NPN和 PNP 分离（lí）器件方（fāng）案

4A的峰值源（yuán）电流和 5A 的峰值（zhí）灌（guàn）电（diàn）流（liú）能力

快速的传播延时（典（diǎn）型值为 18ns）

快速的（de）上升和下降时间（典（diǎn）型值为 9ns/6ns）

13.5V 到 20V 的单电源范围

SiLM27511H 欠压锁定保（bǎo）护 (UVLO)12.5/11.5V

兼容 TTL 和 CMOS 的输入（rù）逻辑电压阈值

双输入（rù）设计(可（kě）选择反相或非反（fǎn）相驱动配置)

输入浮空时输出保持（chí）为低

工作（zuò）温度范（fàn）围为 -40°C 到（dào） 140°C