SiLM2660/61是（shì）用于电池（chí）充电/放电系（xì）统控制的低功（gōng）耗、高边N沟道FET驱动器。高边保护功能可避免系统的接地引脚断（duàn）开连接，以确保电池（chí）组和（hé）主（zhǔ）机系统之间的持（chí）续通信。SiLM2660具有额外（wài）的PFET控制输出，以允许对（duì）深（shēn）度放电的电池进行（háng）低电流预充电，并且（qiě）还集成（chéng）了（le）用于主（zhǔ）机（jī）监控的电池（chí）PACK+电压检测（cè）。
独立的（de）使能输入接口允许电池充电和放电FET分别导通和关断，为电池系统保护提供可（kě）靠性和设计灵活性。
高边NFET驱动器，具有极短的（de）开启和关（guān）闭（bì）时间，用于迅速保护电池。
预充电（diàn）PFET驱动（dòng）器为（wéi）深度耗（hào）尽的电池（chí）组提供电流（liú）限制的（de）预充电功能(仅（jǐn）适用于SiLM2660)。
充（chōng）电和放电（diàn）的独立使能控（kòng）制（zhì）。
基于外部电容（róng）器可扩展的电荷泵，可适用多颗NFET并联驱动。
高的输入耐压值（最大100V）。
可（kě）配置的电池组电压检测功能（仅适（shì）用于SiLM2660）。
支持可配置的通用（yòng）和独立充电和放电路径管理。
低（dī）功耗：正常模（mó）式：40uA；待机模式：小于10uA。
400 080 9938
