优乐园

SiLM2004E

200V低压驱动芯片（piàn）

样片申请

SiLM2004E Datasheet

产品概述

产（chǎn）品特（tè）性

安规认证（zhèng）

典型应用（yòng）图

产品概述

SiLM2004E 是一款（kuǎn）高压、高（gāo）速的功率MOSFET和IGBT驱动器。采用专有的高（gāo）压集（jí）成电路和锁（suǒ）存免疫的CMOS技术可提供（gòng）可靠的单（dān）芯（xīn）片驱（qū）动方案。逻（luó）辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼（jiān）容（róng），最低支（zhī）持3.3V逻辑。输（shū）出（chū）驱动器具有高脉（mò）冲（chōng）电（diàn）流缓（huǎn）冲（chōng）级，以减小驱动器交叉（chā）导（dǎo）通。浮动通道可用于驱动（dòng）高边配（pèi）置（zhì）的N型（xíng）沟道功（gōng）率MOSFET或IGBT，工作电压可高达200V。

产品特性

为自举操作设（shè）计的浮动（dòng）通道

完全运行时电压高达 200V

容许瞬（shùn）间负（fù）电压，不受 dV/dt 影响（xiǎng）

驱动电源范围从 10V 到 18V

欠（qiàn）压（yā）闭（bì）锁

3.3V、5V逻（luó）辑输入兼容

驱动电流（liú）：290 mA/600 mA

防止交（jiāo）叉导通逻辑

两通道间匹配（pèi）传输延迟

通过无铅认证

提供 SOP-8 封装选项