SiLM27519 器件（jiàn）是单通道（dào）高速低边门极驱动器，可有效驱动（dòng） MOSFET 和 IGBT 等功率开（kāi）关。SiLM27519 采用一种能够从内部极大的降低直通电流的设计，将高（gāo）峰值（zhí）的源电流和灌电流脉（mò）冲（chōng）提供给电容负载，以（yǐ）实（shí）现轨到轨的驱（qū）动（dòng）能力和典型值仅为 18ns 的极小传播延迟。
SiLM27519 在（zài） 12V 的（de） VDD 供电情况（kuàng）下（xià），能够提供 4A 的峰（fēng）值（zhí）源电流和 5A 的峰（fēng）值（zhí）灌电流。
低（dī）成（chéng）本（běn）的门极驱（qū）动方案可用（yòng）于替代 NPN 和（hé） PNP 分离器件方案
4A 的（de）峰值源电流和 5A 的（de）峰值灌电流能力（lì）
快（kuài）速的传（chuán）输延（yán）时（典型值为（wéi） 18ns）
快（kuài）速的上升和下（xià）降时（shí）间（典型值为 7ns/5ns）
4.5V 到 20V 的单（dān）电源范围
VDD 欠压闭锁功（gōng）能
兼容（róng） TTL 和 CMOS 的（de）输入逻辑电压（yā）阈值
双输入设计(可选择反相或非反相驱动配置)
输入浮空时输出（chū）保持为低（dī）
工作温度范围为 -40°C 到140°C
提供 SOT23-5 的（de）封装选项
400 080 9938
