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    1. 样(yàng)片申请 | 简体中文
      SLM21364
      600V 200/350mA高压三(sān)相半(bàn)桥驱动芯片
      样(yàng)片申请(qǐng)
      SLM21364 Datasheet
      产品概述
      产品特性
      安规认证
      典型应用图
      产品概述

      SLM21364是一(yī)款高压、高速的三相功率MOSFET和(hé)IGBT驱动器(qì)。采用专有的高压集成电路和锁存免疫CMOS技术,提供可靠的单芯(xīn)片驱动方案。逻辑输入电平与标(biāo)准CMOS或LSTTL输出(chū)兼容,最低支持3.3V逻辑(jí)。通过检测外部电流电(diàn)阻上电流,过流保(bǎo)护功能(néng)能够关断所有(yǒu)输出。使能引脚能同时控制(zhì)6路输出开(kāi)通(tōng)或关断。提(tí)供漏极(jí)开(kāi)路的故障信号指示过(guò)流或(huò)者欠压(yā)关闭(bì)发生。通过连接到RCIN输入的RC网络外部(bù)编程延时后,过流(liú)故障(zhàng)条件自动(dòng)清除。输(shū)出(chū)驱动器具有高(gāo)脉冲电流(liú)缓(huǎn)冲级,以减(jiǎn)小驱动器交叉(chā)导通(tōng)。延时匹(pǐ)配很(hěn)方(fāng)便应用于高频设备。浮动(dòng)通(tōng)道可用于驱动高边配置(zhì)的(de)N型沟道(dào)功率MOSFET或IGBT,工作电压可高达(dá)600V。

      产品(pǐn)特性

      为自举供电(diàn)设(shè)计的浮动通道

      全电压范(fàn)围运行达(dá)600V

      允(yǔn)许瞬态负(fù)电压,不受dV/dt影响

      驱动电源范围从10V到20V

      欠压闭锁(suǒ)

      高低边输入输出同相

      3.3V,5V逻辑(jí)兼容(róng)

      低di/dt门极(jí)驱(qū)动抗干(gàn)扰能(néng)力强

      双通道的匹(pǐ)配延时(shí)

      外部可编程延时的自动(dòng)故障清理

      典型死区时间:290ns

      典型开通/关断延时:350ns/400ns

      典(diǎn)型驱动电(diàn)流:200mA/350mA

      SOP28W封装

      安(ān)规认证(zhèng)
      典(diǎn)型应(yīng)用图

      21364.png

      产品参数表

      展开过滤(lǜ)器
      Part Number Power Switch IOH/IOL (A) Bus voltage (Max)(V) Input VCC (V) Ton/Toff Typ(ns) Tr/Tf Typ(ns) Deadtime Typ(ns) Delay Match Max(ns) Operating Temp(℃) Package Group Packing/QTY
      SLM21364CF-DGIGBT/ MOSFET0.2/0.3560010-20350/400100/40290100-40-125SOP28WReel/1000
      应用案例

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