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SLM2009

200V低压驱动芯片

样片（piàn）申请（qǐng）

SLM2009 Datasheet

产（chǎn）品概述（shù）

产品特性

安规认（rèn）证

典（diǎn）型（xíng）应用图

产品概述

SLM2009 是一款（kuǎn）高（gāo）压、高速的（de）功率MOSFET和IGBT驱动器。采用专有的高压集成电路和锁存（cún）免（miǎn）疫的CMOS技术可（kě）提（tí）供可靠（kào）的单芯片驱动方案（àn）。逻（luó）辑输（shū）入电（diàn）平与标准CMOS或LSTTL输出兼容（róng），最低支（zhī）持3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲（chōng）电流缓冲级，以减小（xiǎo）驱动器交叉导通。浮（fú）动（dòng）通道可用于驱动高边配置的N型（xíng）沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达200V。

产品（pǐn）特性

为自举操作设计的（de）浮（fú）动（dòng）通道

完全运行时电压高达 200V

容许（xǔ）瞬间负电压，不受 dV/dt 影响（xiǎng）

驱动电源（yuán）范围（wéi）从 10V 到（dào） 18V

欠压闭锁

3.3V、5V 逻辑（jí）输入兼容

驱动电流（liú）：1A/1.5A

防止（zhǐ）交（jiāo）叉（chā）导通逻辑

两（liǎng）通道间匹配（pèi）传输延迟

输出信号与输入信号同相

通过无（wú）铅认证（zhèng）