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SLM2003E

200V低压驱动芯片（piàn）

样片申请（qǐng）

SLM2003E Datasheet

产品概述

产品特性

安规认证（zhèng）

典型应用图

产品概述

SLM2003E 是一款（kuǎn）高（gāo）压、高速的功（gōng）率MOSFET和IGBT驱动器。采用专有的高压集成（chéng）电路和（hé）锁存免疫的CMOS技（jì）术可提供（gòng）可靠的单芯片驱动方案。逻辑（jí）输入电平与标准（zhǔn）CMOS或LSTTL输（shū）出兼容，最低支持3.3V逻辑。输出驱动器具（jù）有高脉冲电（diàn）流缓冲级（jí），以减小驱动器交叉导通（tōng）。浮动通道可（kě）用于（yú）驱动高边配置的N型沟道功（gōng）率（lǜ）MOSFET或IGBT，工作电压可高达200V。

产品特性

为自举操作（zuò）设计的浮动（dòng）通道

完全（quán）运（yùn）行时电压高达 200V

容许瞬间负电压，不（bú）受 dV/dt 影响

驱（qū）动电源范围（wéi）从 10V 到 18V

欠（qiàn）压闭（bì）锁（suǒ）

3.3V、5V 和 10V 逻辑输入（rù）兼容

驱动（dòng）电流：290 mA/600 mA

防止交叉导（dǎo）通（tōng）逻辑（jí）

两（liǎng）通道间匹配传（chuán）输延（yán）迟（chí）

输出信号与（yǔ）输入信号（hào）同相

通过无铅（qiān）认证